发明名称 一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构
摘要 本实用新型公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构,包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构;在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层,氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层,氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层;在外延发光结构上设置金属反射层,在金属反射层上设置基板。本实用新型可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题,从而可以重复利用衬底,节约成本。
申请公布号 CN204303856U 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201420601218.8 申请日期 2014.10.17
申请人 厦门乾照光电股份有限公司 发明人 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人 廖吉保;唐绍烈
主权项 一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构,其特征在于:包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构;在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层,氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层,氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层;在外延发光结构上设置金属反射层,在金属反射层上设置基板。
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号