抛光方法以及浮栅的形成方法

摘要

一种抛光方法和浮栅的形成方法，所述浮栅的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述衬底上的有源区形成牺牲氧化层和覆盖所述牺牲氧化层的氮化硅层，在所述衬底上的无源区形成浅槽隔离结构，形成填满所述浅槽隔离结构并覆盖所述氮化硅层的氧化层；对所述氧化层抛光直至暴露出所述氮化硅层；去除所述氮化硅层和牺牲氧化层后形成开口；在所述开口中先后形成栅介质层以及覆盖其上的多晶硅层；在固结磨料抛光垫上抛光所述多晶硅层且停止于所述氧化层形成浮栅，抛光液中具有阳离子表面活性剂或两性离子表面活性剂，所述抛光液的PH值为2.2～6.0。所述抛光方法能实现固结磨料抛光法抛光多晶硅层且停止于氧化层，取得较好的抛光效果。

主权项

一种抛光方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有氧化层和覆盖所述氧化层的多晶硅层，在固结磨料抛光垫上对所述多晶硅层进行抛光操作，停止于所述氧化层，其特征在于，所述抛光操作采用的抛光液的PH值为2.2～6.0，所述抛光液中具有阳离子表面活性剂或两性离子表面活性剂。