一种增强ZnO微米线/纳米线紫外发光强度的方法

摘要

一种增强ZnO微米线/纳米线紫外发光强度的方法，基于ZnO微纳结构的光电系统和发光器件在半导体技术，生物医学，能源环境等领域的应用。本发明步骤如下：衬底的清洗：采用单晶硅片为复合基底中的衬底，分别采用丙酮和乙醇进行超声波清洗；在Si衬底上生长一层厚度为60～70nm的Au膜；在Au膜上生长一层SiO₂薄膜做为介质层，得到Si-Au-SiO₂复合基底，SiO₂薄膜厚度为5～100nm，其中紫外增强效果最明显的SiO₂薄膜厚度为5～10nm(或者：SiO₂薄膜厚度为5～10nm)；采用具有<0001>取向的ZnO纳米线/微米线，将ZnO微米线/纳米线放入乙醇溶液或蒸馏水中，经超声波分散3～5min后，用滴管滴在Si-Au-SiO₂复合基底上。复合基底上的ZnO微米线/纳米线的紫外发光强度，比无复合基体的发光强度明显增加。

主权项

一种增强ZnO微米线/纳米线紫外发光强度的方法，其特征在于，按照以下步骤进行：一.衬底的清洗：采用单晶硅片为复合基底中的衬底，进行超声波清洗；二.Au薄膜的制备：采用磁控溅射技术，在Si衬底上生长一层厚度为60～70nm的Au膜；三.SiO₂介质层的制备：在Au膜上生长一层SiO₂薄膜做为介质层，得到Si‑Au‑SiO₂复合基底，SiO₂薄膜厚度为5～100nm；四.ZnO纳米线的选用：采用具有<0001>取向的ZnO纳米线或微米线，直径分别为1～3μm和200～500nm，长度为20～600μm；五.将ZnO微米线/纳米线放入乙醇溶液或蒸馏水中，经超声波分散3～5min后，用滴管滴在Si‑Au‑SiO₂复合基底上。