发明名称 一种可控制备ZnO薄膜的方法
摘要 本发明属于半导体材料生长技术领域,涉及一种在水溶液中低温制备高质量且形貌可控的ZnO薄膜的工艺。本发明在70℃的水溶液环境下通过Zn片和ZnCl<sub>2</sub>溶液反应的方法制备出高质量ZnO。首先采用砂纸打磨掉Zn片表面明显的污渍,然后用稀盐酸对Zn片进行清洗,之后用丙酮和去离子水分别进行超声清洗。再配制一定浓度的ZnCl<sub>2</sub>溶液(0.005mol/L-0.09mol/L),将处理好的Zn片垂直放置到溶液中。最后在70℃的油浴环境下加热,得到高质量的ZnO薄膜。本发明直接在ZnCl<sub>2</sub>溶液中进行加热、不用调节碱度、操作简单、简化并缩短了干燥过程、降低了生产成本、并且没有引入其他杂质离子、解决了制备温度较高的问题和制备周期较长的问题。
申请公布号 CN104561964A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201410817466.0 申请日期 2014.12.24
申请人 北京科技大学 发明人 常永勤;储昭强;徐阳璐;张静;龙毅
分类号 C23C20/08(2006.01)I 主分类号 C23C20/08(2006.01)I
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人 张仲波
主权项 一种可控制备ZnO薄膜的方法,其特征在于具体包括以下步骤:(1)、Zn片衬底的准备1)将Zn片裁剪成长条,用砂纸轻微打磨,除去表面明显的污渍;2)用稀盐酸对Zn片进行清洗:3)将酸洗后的Zn片分别用丙酮与去离子水超声清洗;(2)ZnCl<sub>2</sub>溶液的配制1)将ZnCl<sub>2</sub>固体颗粒研碎成粉状颗粒,再按照浓度要求称取一定量的ZnCl<sub>2</sub>粉末,用去离子水配制成80‑100mL的ZnCl<sub>2</sub>溶液用玻璃棒搅拌使其充分溶解;2)将烧杯密封,对ZnCl<sub>2</sub>溶液进行超声处理,直至烧杯底部出现乳浊液为止;(3)Zn片在ZnCl<sub>2</sub>溶液中的油浴反应用细线将处理好的Zn片垂直放置在ZnCl<sub>2</sub>溶液中油浴加热;(4)薄膜的冷却与清洗1)将反应后的Zn片垂直浸入去离子水中,冷却并清洗,时间为2‑5分钟;2)将反应后的Zn片在室温条件下干燥,得到高质量的ZnO薄膜。
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
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