一种监控浅掺杂漏离子注入角度偏移的测试结构及方法

摘要

本申请公开了一种监控浅掺杂漏离子注入角度偏移的测试结构及方法，所述测试结构位于晶圆切割道内，所述测试结构包括：放大器、具有相反电流方向，且与芯片上MOS管同型的两个MOS管分别为第一MOS管和第二MOS管、第一电阻和第二电阻。通过放大器放大第一MOS管和第二MOS管之间的电流/电压差，同时消除影响MOS管电流/电压的其他因素，来实时监控芯片上的MOS管浅掺杂漏离子注入角度偏移。

主权项

一种监控浅掺杂漏离子注入角度偏移的测试结构，所述测试结构位于晶圆切割道内，用于监控芯片上的MOS管浅掺杂漏离子注入角度偏移，其特征在于，所述测试结构包括：放大器、具有相反电流方向，且与芯片上MOS管同型的两个MOS管分别为第一MOS管和第二MOS管、第一电阻和第二电阻；所述放大器，用于放大第一MOS管和第二MOS管之间的电流/电压差，具有第一输入端，第二输入端，第一输出端和第二输出端；其第一输入端和第一输出端分别连接第一电阻的两端；其第二输入端和第二输出端分别连接第二电阻的两端；第一输入端与第一MOS管的源极连接；第二输入端与第二MOS管的源极连接；所述第一MOS管，用于在放大器的第一输入端输入所述第一MOS管的电流/电压，所述第一MOS管的漏极接电源电压；所述第二MOS管，用于在放大器的第二输入端输入与第一MOS管电流方向相反的第二MOS管的电流/电压，所述第二MOS管的漏极接地。