一种新型出光结构的GaN基发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型出光结构的GaN基发光二极管，包括在生长面设有多个凹形结构的衬底，衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层，同时还公开了该GaN基发光二极管的制作方法，先通过湿刻或干刻法在衬底生长面上形成有序分布的直径为5-10um凹形结构阵列，再采用MOCVD方法在衬底上依次生长第一半导体载流子注入层、多量子阱结构和第二半导体载流子注入层。本发明制作出的发光二极管，性能可靠，发光效率高，且能显著改善器件尤其是大功率输入时的散热效率，明显降低结温。

主权项

一种新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：包括在生长面设有多个凹形结构的衬底，衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层。