薄膜晶体管结构

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管结构，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；所述半导体层与源极及漏极之间还设有欧姆接触层，所述欧姆接触层进一步包括层叠的第一磷掺杂层、第二磷掺杂层及第三磷掺杂层，其中，所述第一磷掺杂层靠近半导体层，所述第三磷掺杂层靠近源极及漏极，且所述第一磷掺杂层的磷掺杂浓度小于第二磷掺杂层的磷掺杂浓度，所述第二磷掺杂层的磷掺杂浓度小于第三磷掺杂层的磷掺杂浓度。本发明能降低半导体与金属间的接触势垒，使得二者形成良好的欧姆接触，从而有效降低非晶硅薄膜晶体管的漏电流，且不影响其开态电流。

主权项

一种薄膜晶体管结构，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，所述半导体层与源极及漏极之间还设有欧姆接触层，所述欧姆接触层进一步包括层叠的第一磷掺杂层、第二磷掺杂层及第三磷掺杂层，其中，所述第一磷掺杂层靠近半导体层，所述第三磷掺杂层靠近源极及漏极，且所述第一磷掺杂层的磷掺杂浓度小于第二磷掺杂层的磷掺杂浓度，所述第二磷掺杂层的磷掺杂浓度小于第三磷掺杂层的磷掺杂浓度。