| 发明名称 | 硅通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成环形通孔，所述环形通孔内部的半导体衬底呈孤立的半导体柱；在所述环形通孔的侧壁及底部形成扩散阻挡层；在所述环形通孔中填充满导电层；去除全部所述半导体柱或去除所述半导体柱至剩余部分厚度，直至形成深宽比大于或者等于20的开口；密封所述开口形成空气隙。所述方法通过先形成环形通孔，再用导电层填充满环形通孔，然后去除环形通孔内部围成的半导体柱形成开口，之后密封开口形成空气隙，所述空气隙为导电层的塑性形变提供较大的变形空间，有利于导电层和绝缘层中应力的释放，降低硅通孔发生分层和开裂现象的可能性，提高硅通孔的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104576508A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310504882.0 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 沈哲敏;李广宁 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成环形通孔，所述环形通孔内部的半导体衬底呈孤立的半导体柱；在所述环形通孔的侧壁及底部形成扩散阻挡层；在所述环形通孔中填充满导电层；去除所述半导体柱直至形成深宽比大于或者等于20的开口；密封所述开口形成空气隙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||