发明名称 |
大尺寸稀土掺杂氟化钇钡单晶生长方法 |
摘要 |
本发明提供的一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法,在加热炉内,按质量百分比将{xReF<sub>3</sub>+(1-x)YF<sub>3</sub>}:BaF<sub>2</sub>=2:1,x=0~100%多晶料置于坩埚中,抽真空,向加热炉内先后通入氩气;用控温仪控制加热功率使之熔化,坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差,坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差,引起熔体的自然对流;再用铂金夹头将BaY<sub>2</sub>F<sub>8</sub>籽晶固定于籽晶杆,下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长;当氟化物晶体生长到设定尺寸时,开始退火,以20°C/小时的降温速率降温至室温,通过调节转速和加热功率,直至晶体生长结束与熔体脱离,在坩埚内退火,获得大尺寸氟化物晶体。本发明解决了氟化物熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中气泡多等生长不利因素。 |
申请公布号 |
CN104562183A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201410845260.9 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
西南技术物理研究所 |
发明人 |
官周国;姚超;罗辉;官周牛;郭春艳 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01)I |
代理机构 |
成飞(集团)公司专利中心 51121 |
代理人 |
郭纯武 |
主权项 |
一种大尺寸稀土掺杂氟化钇钡晶体生长方法,其特征在于包括如下步骤:在加热炉内,按质量百分比将{xReF<sub>3</sub>+(1‑x)YF<sub>3</sub>}: BaF<sub>2</sub>=2:1,x=0~100%多晶料,即BaY<sub>2</sub>F<sub>8</sub>到BaRe <sub>2</sub>F<sub>8</sub>,其中X为掺杂氟化钇钡含量,稀土Re离子摩尔百分比为0~100%;将上述合成好的Re:BaY<sub>2</sub>F<sub>8</sub>多晶料装入铂金坩埚,抽真空至10<sup>‑5</sup>Pa~3´10<sup>‑5</sup>Pa,在400~500℃温度条件下,用通气管道向加热炉内先后通入氩气Ar、四氟化碳CF<sub>4</sub>气体;用控温仪控制加热功率使之熔化,熔化后至少恒温8小时,熔体完全熔化后,用铂金棒处理粘熔体表面漂浮物;坩埚内液面与炉内气体流动进行热交换形成轴向温度差,坩埚壁与坩埚中心形成径向温度差,引起熔体的自然对流;再用铂金夹头将a或b方向BaY<sub>2</sub>F<sub>8</sub>籽晶固定于籽晶杆,籽晶转速控制在3rpm~5rpm,下降籽晶与熔体接触进行氟化物晶体生长,生长期间籽晶以3rpm~5rpm转速,向上以0.1~0.3mm/小时速率上升,使氟化物晶体生长以60~80度角度扩肩直至坩埚直径的80%~90%,然后通过自动直径控制系统ADC等径控制调节加热功率;当氟化物晶体生长到设定尺寸时,设定快速提拉脱离熔体,开始退火,退火温度为熔点的90%,退火时间为5~6小时,以20℃/小时的降温速率降温至室温,获得大尺寸氟化物晶体。 |
地址 |
610041 四川省成都市武侯区人民南路4段7号 |