多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法，所述结构包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）正面设置有多个芯片（4），所述芯片（4）正面与引脚（2）正面之间用金属线（5）相连接，所述基岛（1）和引脚（2）周围区域以及芯片（4）和金属线（5）外均包封有塑封料（6），所述基岛（1）和引脚（2）下部的塑封料（6）表面上开设有小孔（7），所述小孔（7）内设置有金属球（9），所述金属球（9）与基岛（1）或引脚（2）背面相接触。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

主权项

一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，步骤三、贴光阻膜作业利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆，步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域，步骤五、电镀惰性金属线路层将金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层，步骤六，电镀高导电金属层在惰性金属线路层表面进行高导电金属层的电镀，步骤七，去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，步骤八、预包封在金属基板背面进行塑封料的预包封，步骤九、塑封料表面开孔在步骤八完成预包封的塑封料表面进行后续要植金属球区域的开孔作业，步骤十、贴光阻膜作业在金属基板正面及背面被覆光阻膜，步骤十一、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备在步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的图形区域，步骤十二、化学蚀刻将步骤十一金属基板正面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，步骤十三、电镀金属层在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层上进行金属层的电镀，在金属基板正面相对形成基岛和引脚，步骤十四、去除金属基板表面光阻膜将金属基板表面的光阻膜去除，步骤十五、涂覆粘结物质在步骤十三相对形成的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质，步骤十六、装片在步骤十五中基岛正面涂覆的导电或不导电粘结物质上进行多个芯片的植入，步骤十七、金属线键合在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业，步骤十八、包封在完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料的包封，步骤十九、清洗对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗，步骤二十、植球在步骤十九经过清洗的小孔内植入金属球，步骤二十一、切割成品将步骤二十完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构成品。