包括磁各向异性增强层和结晶阻碍层的垂直MTJ堆叠体

摘要

本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ)，其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。

主权项

一种垂直磁性隧道结(MTJ)，包括：具有垂直磁各向异性的自由磁层；固定磁层；设置在所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧穿层；设置在所述自由磁层的与所述隧穿层相反的一侧上的磁各向异性增强层；以及设置在所述磁各向异性增强层与所述自由磁层之间的结晶阻碍层。