发明名称 太阳能电池接触结构
摘要 本发明涉及太阳能电池接触结构。在各种实施方式中,太阳能电池可以包括:由硅制成的太阳能电池晶片衬底,该硅的主要成分是具有与一个晶片边缘平行的{111}晶面的单晶结构;电介质层,设置在太阳能电池晶片衬底的后侧上;多个接触开口,其延伸穿过电介质层到达太阳能电池晶片衬底;多个金属触点,其形成在多个接触开口中;和金属层,其设置在电介质层上方;其中金属层通过多个金属触点电气连接至太阳能电池晶片衬底;其中多个接触开口的至少一个接触开口不平行于{111}晶面延伸。
申请公布号 CN104576773A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201410398106.1 申请日期 2014.08.13
申请人 太阳世界工业美国有限公司 发明人 哈拉尔德·哈恩;乔希·亚斯科夫;克丽丝·斯坦贝尔曼;托马斯·克兰克;罗曼·斯彻普
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠
主权项 一种太阳能电池,其包括:由硅制成的太阳能电池晶片衬底,所述硅的主要成分是具有与一个晶片边缘平行的{111}晶面的单晶结构;电介质层,其设置在所述太阳能电池晶片衬底的后侧上方;多个接触开口,其延伸穿过所述电介质层到达所述太阳能电池晶片衬底;多个金属触点,其形成在所述多个接触开口中;和金属层,其设置在所述电介质层上方;其中所述金属层通过所述多个金属触点电气连接至所述太阳能电池晶片衬底;其中所述多个接触开口中的至少一个接触开口与{111}晶面不平行地延伸。
地址 美国俄勒冈州