| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上制备一金属层；在所述金属层上制备一氧化阻挡层；进行氧化工艺，使得所述金属层与氧化阻挡层接触的所述金属层的表面形成一金属氧化层；对所述金属层进行选择性刻蚀。本发明提供的半导体器件的制备方法先进行氧化工艺，使得所述金属层与氧化阻挡层接触的所述金属层的表面形成一金属氧化层，在对所述金属层进行选择性刻蚀中，所述金属氧化层会阻挡化学试剂对所述金属层氧化，避免局部氧化铝的形成，从而可以减少或消除铝残留的形成，以提高器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104576514A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310529013.3 | 申请日期 | 2013.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 康晓春;李志超 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上制备一金属层；在所述金属层上制备一氧化阻挡层；进行氧化工艺，使得所述金属层与氧化阻挡层接触的所述金属层的表面形成一金属氧化层；对所述金属层进行选择性刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||