| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一层间介电层和位于所述第一层间介电层中的高k-金属栅极结构及位于高k-金属栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构两侧的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；在第一层间介电层中形成连通嵌入式锗硅层的接触孔；在接触孔的侧壁上形成侧墙；在通过侧墙之间露出的嵌入式锗硅层上形成自对准硅化物；形成完全填充接触孔的接触塞。根据本发明，在形成接触孔之后，先实施常规的形成侧墙的工艺以在接触孔的侧壁形成侧墙，再实施常规的形成自对准硅化物的工艺，可以避免其中的Siconi蚀刻工艺所引发的接触孔的侧壁与高k-金属栅极结构之间的间距缩短的问题，确保二者的有效隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN104576337A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310473656.0 | 申请日期 | 2013.10.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 傅丰华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介电层和位于所述第一层间介电层中的高k‑金属栅极结构及位于所述高k‑金属栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构两侧的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；在所述第一层间介电层中形成连通所述嵌入式锗硅层的接触孔；在所述接触孔的侧壁上形成侧墙；在通过所述侧墙之间露出的嵌入式锗硅层上形成自对准硅化物；形成完全填充所述接触孔的接触塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||