一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体氧化物量子点/石墨纳米晶的粒径为1～100nm，在晶硅片上均匀生长，利用量子点、异质结及石墨纳米晶独有的特性，提高少子寿命的同时，明显提高晶硅电池的外量子效率，从而提高太阳能光伏电池的光电转换效率。

主权项

一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：a)配置0.05mol/L～15mol/L的清洗液；b)胶体复合纳米材料的制备：配置浓度为0.001mol/L～10mol/L金属溶液；添加分散剂，充分溶解，分散剂用量为1g/L～20g/L；然后加入1mg/L～100mg/L的碳源，充分搅拌，得到胶体复合纳米材料溶液；c)晶硅片的预处理：将已经制好p‑n结的晶硅片浸渍到清洗液中1～200s，去除电池片表面的油污和二氧化硅层；取出后在去离子水中清洗1～10min，去除残留的清洗液，沥水，吹干；d)复合纳米材料的沉积和生长：将清洗后的晶硅片浸渍到上述胶体复合纳米材料溶液中反应1～100s，以1～5cm/min的速度提拉，迅速吹干；e)快速退火：将处理后的电池片在100℃～1000℃退火1～60min；f)经上述处理的晶硅片再按电池片制作工艺，经刻蚀、蒸镀减反膜及制作电极，得到最终的复合异质结晶硅太阳能电池。