发明名称 一维棒状空心二氧化硅纳米囊及其制备方法
摘要 本发明是涉及一维棒状空心二氧化硅纳米囊及其制备方法;外貌为棒状,长径比为1.5-4.5,空壳厚度为20-40nm。将表面活性剂和浓氨水搅拌;分两次加入硅源,得到双层硅产品;然后加入聚乙烯吡咯烷酮,超声分散于水中,离心洗涤;再加入刻蚀剂,反应后,经离心洗涤、干燥、煅烧得产品。本发明首次制得了长径比可以灵活控制、内部空间大、形貌均一和易修饰的一维棒状空心二氧化硅纳米囊。在合成、催化、控释和生物应用等方面有着广阔的应用前景,为纳米材料领域新增加了特殊的一员;本发明的制备方法原料来源广泛、操作条件简单、制备成本低廉及易于大批量生产。
申请公布号 CN104556069A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201410788250.6 申请日期 2014.12.17
申请人 天津大学 发明人 龚俊波;路平超;董伟兵;侯杰;王静康;尹秋响
分类号 C01B33/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01B33/18(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一维棒状空心二氧化硅纳米囊,其特征在于:一维棒状空心二氧化硅纳米囊外貌为棒状,长径比为1.5‑4.5,空壳厚度为20‑40nm。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学