| 摘要 |
본 발명의 목적은 저항 기억 소자에 디스터브가 발생하는 것을 방지하면서, 판독 속도 및 기입 속도를 향상시키는 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치(100)는 적어도 하나의 불휘발성의 저항 기억 소자를 포함하는 메모리(102)와 저항 기억 소자에 고저항 상태 또는 저저항 상태를 기입하도록 구성된 제어부(104)를 포함하고, 제어부는 고저항 상태의 기입 후에 수행되는 검증 동작시에 저항 기억 소자에 바이어스를 인가하거나, 저저항 상태의 기입 후에 수행되는 검증 동작시에 저항 기억 소자에 바이어스를 인가하고, 이들 바이어스는 서로 상반된 방향이다. |
