发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种太阳能电池,包括半导体基板、射极层、第一电极、第二电极及介电层。所述半导体基板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面,且所述半导体基板具有贯穿通道贯穿所述第一表面及所述第二表面。所述射极层形成于所述半导体基板的第一表面、第二表面及贯穿通道,其中所述半导体基板与所述射极层之间形成pn接面。所述第一电极形成于所述贯穿通道、所述第一表面以及所述第二表面,并且与所述射极层相接触。所述第二电极形成于所述第二表面且电性连接于所述半导体基板。所述介电层形成于所述贯穿通道内,且位于所述射极层与所述第一电极之间,以使所述第一电极与所述pn接面相隔离,以提升太阳能电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN104576771A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201310493029.3 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
台湾茂矽电子股份有限公司 |
发明人 |
王昱胜;郑硕仁 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
于宝庆;刘春生 |
主权项 |
一种太阳能电池,包括:一半导体基板,具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面,且所述半导体基板具有至少一贯穿通道贯穿所述第一表面及所述第二表面;一射极层,形成于所述半导体基板的所述第一表面、所述第二表面及所述至少一贯穿通道,其中所述半导体基板与所述射极层之间形成一pn接面;至少一第一电极,每一所述第一电极部份形成于所述贯穿通道、部分形成于所述第一表面,且部分形成于所述第二表面,并且与所述射极层相接触;至少一第二电极,形成于所述第二表面,且电性连接于所述半导体基板,其中所述第一电极与所述第二电极之间形成断路;以及一介电层,形成于所述至少一贯穿通道内,且位于所述射极层与所述第一电极之间,以使所述第一电极与所述pn接面相隔离。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |