具有续流SiC二极管的RC-IGBT

摘要

一种半导体模块（10）包括：反向传导晶体管（12a，12b），其是RC-IGBT或BIGT，具有栅极（26a，26b）、集电极（16a，16b）和发射极（18a，18b），从而在集电极与发射极之间提供反向传导二极管（24a，24b）；与晶体管（12a，12b）反并联连接的至少一个续流二极管（28a，28b），其在静态期间具有高于反向传导二极管的正向电压降；和控制器（32），用于使栅极（26a，26b）与电势连接来导通和关断晶体管（12a，12b）。控制器（32）适于在反向传导二极管（24a，24b）进入阻断状态之前向晶体管（12a，12b）的栅极（26a，26b）施加正电势的脉冲（46），使得在反向传导二极管（24a，24b）进入阻断状态的动态中，反向传导二极管的正向电压降高于至少一个续流二极管（28a，28b）的。

主权项

一种半导体模块（10），包括：反向传导晶体管（12a，12b），其具有栅极（26a，26b）、集电极（16a，16b）和发射极（18a，18b），从而在集电极（16a，16b）与发射极（18a，18b）之间提供反向传导二极管（24a，24b）；与所述晶体管（12a，12b）反并联连接的至少一个续流二极管（28a，28b），其在静态期间具有高于所述反向传导二极管的正向电压降；控制器（32），用于使所述栅极（26a，26b）与电势连接来导通和关断所述晶体管（12a，12b）；其中所述控制器（32）适于在所述反向传导二极管（24a，24b）进入阻断状态之前向所述晶体管（12a，12b）的栅极（26a，26b）施加正电势的脉冲（46），使得在所述反向传导二极管（24a，24b）进入阻断状态的动态中，所述反向传导二极管的正向电压降高于所述至少一个续流二极管（28a，28b）的，其中所述反向传导晶体管（12a，12b）是RC‑IGBT或BIGT，并且其中所述至少一个续流二极管（28a，28b）包括SiC二极管。