一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置

摘要

本发明属于晶体生长设备技术领域，涉及一种发成核过程可控式的DAST晶体生长装置，生长缸固定放置在盛有水浴的水浴缸中，硅胶塞密封安装在生长缸上部开口处，生长缸内装有DAST晶体生长溶液；在DAST晶体生长溶液中放置有聚四氟乙烯斜板；玻璃细管一端为锥形开口结构并且竖直穿过硅胶塞；注射器置于生长缸外部通过PVC软管与玻璃细管密封连接；水浴缸顶部的一侧安装制有热电偶，热电偶插入水浴中；红外加热灯放置在水浴缸的外侧壁上；温控表放置在水浴缸的外部并与电热偶和红外加热灯电信息连通；其装置结构简单，使用操作方便，晶体生长过程中的成核数量和位置能实现有效控制，生长晶体成功率高，晶体质量较好。

主权项

一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置体结构包括水浴缸、水浴、生长缸、DAST晶体生长溶液、硅胶塞、聚四氟乙烯斜板、V型槽、玻璃细管、PVC软管、注射器、热电偶、红外加热灯和温控表；生长缸固定放置在盛有水浴的水浴缸中，硅胶塞密封安装在生长缸上部开口处，生长缸内装有DAST晶体生长溶液；在DAST晶体生长溶液中放置有聚四氟乙烯斜板，聚四氟乙烯斜板的一个面上开有多条相互平行的V型槽，聚四氟乙烯斜板与生长缸底平面成35°角放置，使聚四氟乙烯斜板靠在生长缸壁上，开有V型槽的一面朝上；玻璃细管一端为锥形开口结构并且竖直穿过硅胶塞，锥形开口结构的一段悬空置于生长缸内部，玻璃细管能够相对硅胶塞竖直移动且不影响硅胶塞对于生长缸的密封；注射器置于生长缸外部且通过PVC软管与玻璃细管密封连接；水浴缸顶部的一侧安装制有热电偶，热电偶插入水浴中；红外加热灯放置在水浴缸的外侧壁上；温控表放置在水浴缸的外部并与电热偶和红外加热灯电信息连通，用于精确控制水浴的温度，进而控制DAST生长溶液的温度。