集成超势垒整流器的IGBT器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种集成超势垒整流器的IGBT器件，其背面具有V型槽，V型槽穿过所述IGBT的集电区，其底部位于重掺杂N型缓冲层，其侧壁具有氧化硅层，槽内填充金属，形成超势垒整流器：所述V型槽内侧壁的氧化硅层和槽内填充的金属构成超势垒整流器的栅极，IGBT的集电区作为体区，V型槽间的P型区与背面金属结合形成超势垒整流器的漏极，IGBT的重掺杂N型缓冲层作为超势垒整流器的源区。IGBT自身集成续流二极管，节省芯片成本，在IGBT正向导通时，能抑制集电极空穴注入，提高IGBT关断速度。本发明还公开了所述集成超势垒整流器的IGBT器件的制造方法。

主权项

一种集成超势垒整流器的IGBT器件，其沟槽型栅极是穿通源区、体区，底部位于轻掺杂N型漂移区；源区上方覆盖硼磷硅玻璃介质层，硼磷硅玻璃介质层上方覆盖表面金属；接触孔穿通硼磷硅玻璃及源区，将体区中的接触注入引出与表面金属相连；其特征在于：所述IGBT背面的集电区中具有V型槽，V型槽穿通集电区层底部位于重掺杂N型缓冲层中；V型槽内壁具有氧化硅层，再填充金属层并覆盖整个IGBT的背面形成IGBT的集电极金属。