提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法

摘要

一种提高量子阱载流子限制能力的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次制作n型限制层、下波导层、下n型掺杂层、量子阱有源区、上n型掺杂层、上波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将p型接触层和部分p型限制层采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，制作成脊型；步骤3：采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将衬底减薄、清洗；步骤5：在衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明可减小载流子的泄露，改善激光器性能。

主权项

一种提高量子阱载流子限制能力的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次制作n型限制层、下波导层、下n型掺杂层、量子阱有源区、上n型掺杂层、上波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将p型接触层和部分p型限制层采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，制作成脊型；步骤3：采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将衬底减薄、清洗；步骤5：在衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。