基于硅薄膜和硅纳米线异质结的复合电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于硅薄膜和硅纳米线异质结的复合电池及其制备方法，属于新能源太阳能电池技术领域。包括自下而上依次设置的衬底、n型硅薄膜层、第一本征硅薄膜层、第一p型硅薄膜层、n型硅纳米线阵列层、第二本征硅薄膜层、第二p型硅薄膜层和透明导电薄膜层，其中，所述n型硅薄膜层、第一本征硅薄膜层、第一p型硅薄膜层自下而上依次平行设置于衬底之上，所述n型硅纳米线阵列层中的硅纳米线垂直于所述第一p型硅薄膜层，所述第二本征硅薄膜层、第二型硅薄膜层和透明导电薄膜层自下而上依次覆盖所述n型硅纳米线阵列层。本发明提供的复合电池可同时提高电池的短路电流和开路电压，增加电池的转换效率，优化电池的性能。

主权项

一种基于硅薄膜和硅纳米线异质结的复合电池，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)、n型硅薄膜层(2)、第一本征硅薄膜层(3)、第一p型硅薄膜层(4)、n型硅纳米线阵列层(5)、第二本征硅薄膜层(6)、第二p型硅薄膜层(7)和透明导电薄膜层(8)，其中，所述n型硅薄膜层(2)、第一本征硅薄膜层(3)、第一p型硅薄膜层(4)自下而上依次平行设置于衬底(1)之上，所述n型硅纳米线阵列层(5)中的硅纳米线垂直于所述第一p型硅薄膜层(4)，所述第二本征硅薄膜层(6)、第二p型硅薄膜层(7)和透明导电薄膜层(8)自下而上依次覆盖所述n型硅纳米线阵列层(5)。