| 发明名称 | 改善深沟槽化学机械研磨均一性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善深沟槽化学机械研磨均一性的方法，包括：1）在硅基板上沉积一层氧化膜；2）在氧化膜表面上，沉积一层牺牲层，其中，牺牲层的材质为氮化膜或氮氧化膜；3）深沟槽的光刻和刻蚀；4）采用湿法刻蚀，对牺牲层进行横向刻蚀；5）深沟槽内进行选择性外延层生长；6）湿法刻蚀去除牺牲层；7）以氧化膜作为停止层，进行化学机械研磨。本发明能解决当p型和n型半导体柱pitch减小时，高出停止层表面的过生长的外延层容易连接起来而对后续化学机械研磨工艺产生负载效应，从而避免负载效应产生的残留。 | ||
| 申请公布号 | CN104576352A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310484884.8 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 程晓华;钱志刚 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种改善深沟槽化学机械研磨均一性的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅基板上沉积一层氧化膜；2）在氧化膜表面上，沉积一层牺牲层，其中，牺牲层的材质为氮化膜或氮氧化膜；3）在牺牲层上淀积光刻胶，显影，刻蚀牺牲层、氧化膜和硅基板，形成深沟槽；4）采用湿法刻蚀，对牺牲层进行横向刻蚀；5）深沟槽内进行选择性外延层生长；6）湿法刻蚀去除牺牲层；7）以氧化膜作为停止层，进行化学机械研磨。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||