| 发明名称 | 一种应力释放的GaN基发光二极管结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应力释放的GaN基发光二极管结构，包括蓝宝石衬底和GaN基外延层，其特征在于：所述蓝宝石衬底的生长面上设有纵横交错的条形隔离带或纵横交错的条形隔离沟槽，蓝宝石衬底的生长面上除隔离带或隔离沟槽以外的区域设置有GaN基外延层。本发明同时公开了这种GaN基发光二极管结构的制作方法，本发明能够简单方便地释放大尺寸衬底外延的内部应力，提高外延层内波长的均匀性并提升GaN基LED芯片的产出良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104576865A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310506888.1 | 申请日期 | 2013.10.25 |
| 申请人 | 广东德力光电有限公司 | 发明人 | 郝锐;林振贤;罗长得 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种应力释放的GaN基发光二极管结构，包括蓝宝石衬底和GaN基外延层，其特征在于：所述蓝宝石衬底的生长面上设有纵横交错的条形隔离带或纵横交错的条形隔离沟槽，蓝宝石衬底的生长面上除隔离带或隔离沟槽以外的区域设置有GaN基外延层。 | ||
| 地址 | 529000 广东省江门市江海区彩虹路1号 | ||