发明名称 |
肖特基势垒二极管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法,属于半导体技术领域,解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管,包括:N型碳化硅衬底;位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层;位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层;位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区;位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极;位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。 |
申请公布号 |
CN104576762A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201410822182.0 |
申请日期 |
2014.12.25 |
申请人 |
株洲南车时代电气股份有限公司 |
发明人 |
李诚瞻;刘可安;吴煜东;杨勇雄;史晶晶;蒋华平;唐龙谷;赵艳黎;吴佳 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;张文娟 |
主权项 |
一种肖特基势垒二极管,包括:N型碳化硅衬底;位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层;位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层;位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区;位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极;位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。 |
地址 |
412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 |