| 发明名称 | 肖特基势垒二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。 | ||
| 申请公布号 | CN104576762A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410822182.0 | 申请日期 | 2014.12.25 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 李诚瞻;刘可安;吴煜东;杨勇雄;史晶晶;蒋华平;唐龙谷;赵艳黎;吴佳 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 朱绘;张文娟 |
| 主权项 | 一种肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||