带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法

摘要

本发明公开一种带载体的高速雪崩光电探测器芯片及其制作方法，包括：载体、焊接于该载体上的数个焊接球以及采用倒装方式焊接于该数个焊接球上的外延片，该外延片包括：衬底、形成于该衬底上的缓冲层、形成于该缓冲层上的吸收层、形成于该吸收层上的过渡层、形成于该过渡层上的场控层、形成于该场控层上的顶层、形成于该顶层上的接触层、形成于该顶层和接触层中的扩散区、形成于该扩散区上的正电极、形成于该接触层及缓冲层上的负电极、形成于该衬底底部的微透镜、以及形成于该微透镜表面的增透膜，该正电极及负电极焊接于该数个焊接球上，该扩散区包括同心设置的扩散倍增区和扩散保护环，该扩散倍增区的半径大于15um且小于30um。

主权项

一种带载体的高速雪崩光电探测器芯片，其特征在于，包括：载体、焊接于所述载体上的数个焊接球以及采用倒装方式焊接于所述数个焊接球上的外延片，所述外延片包括：衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的过渡层、形成于所述过渡层上的场控层、形成于所述场控层上的顶层、形成于所述顶层上的接触层、形成于所述顶层和接触层中的扩散区、形成于所述扩散区上的正电极、形成于所述接触层及缓冲层上的负电极、形成于所述衬底底部的微透镜、以及形成于所述微透镜表面的增透膜，所述正电极及负电极焊接于所述数个焊接球上，所述扩散区包括同心设置的扩散倍增区和扩散保护环，所述扩散倍增区的半径大于15um且小于30um。