| 发明名称 | 905nm硅雪崩光电二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种905nm硅雪崩光电二极管，包括P<sup>+</sup>衬底层、π型层、P型雪崩区、N<sup>+</sup>光敏区、N<sup>+</sup>保护环和P<sup>+</sup>截止环，其创新在于：在所述N<sup>+</sup>保护环的外周和所述P<sup>+</sup>截止环的内周之间设置有第二N<sup>+</sup>保护环。本发明还公开了前述905nm硅雪崩光电二极管的制作方法。本发明的有益技术效果是：能大幅提高905nm硅雪崩光电二极管的工作温度上限。 | ||
| 申请公布号 | CN104576809A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201510003267.0 | 申请日期 | 2015.01.06 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 曾武贤;李睿智 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人 | 侯懋琪 |
| 主权项 | 一种905nm硅雪崩光电二极管，包括P<sup>+</sup>衬底层（1）、π型层（2）、P型雪崩区（3）、N<sup>+</sup>光敏区（4）、N<sup>+</sup>保护环（5）和P<sup>+</sup>截止环（6），其特征在于：在所述N<sup>+</sup>保护环（5）的外周和所述P<sup>+</sup>截止环（6）的内周之间设置有第二N<sup>+</sup>保护环（7）。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 | ||