| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaserdiode (01) aufweisend eine Substratschicht, eine erste dotierte und eine zweite dotierte Mantelschicht (02,09), zumindest einen Wellenleiter (03, 04), eine aktive Schicht, eine an die aktive Schicht oder den zumindest einen Wellenleiter (03, 04) angrenzende Mantelschichtstruktur (05) und zumindest einen Interdigitaltransducer (08), wobei der zumindest eine Interdigitaltransducer (08) an die Mantelschichtstruktur (05) angrenzt und die Mantelschichtstruktur (05) zumindest einen ersten Bereich (06) aufweist, der als im Wesentlichen undotierte Halbleiterschicht ausgeführt ist und zumindest abschnittsweise einen zweiten Bereich (07) aufweist, der auf einer Seite an den ersten Bereich (06) und auf einer anderen Seite an den Interdigitaltransducer (08) angrenzt, wobei der zweite Bereich (07) eine gegenüber dem ersten Bereich (06) verringerte Dichte freier Ladungsträger aufweist. |
