一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法

摘要

一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法，包括以下步骤：(1)单晶硅抛光片的表面清洗；(2)用HCl气体清洁外延炉腔体以及硅片反应基座；(3)将单晶硅抛光片装载到基座上，此时通入反应腔体内氢气的流量为30SLM；将反应腔体升温至1050～1150℃，提高氢气流量至100～160SLM，同时通入HCl气体腐蚀单晶硅表面，HCl/H₂浓度控制在0.5～1.5％，腐蚀时间为30s～180s；(4)停止通HCl气体，利用高纯氢气吹扫，赶走HCl以及副产物，同时降温至沉积温度1050～1100℃；(5)预流TCS气体、掺杂剂B₂H₆/PH₃至少1min，通入TCS气体生长一层外延薄层，然后将氢气流量降低20～60SLM，在单晶硅表面生长外延层；(6)降温至900℃，取出外延片。该方法可消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚现象，提高了外延片生产合格率。

主权项

一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用湿法清洗准备外延生长的12英寸单晶硅抛光片，去除抛光片表面的大部分颗粒，然后用HF酸溶液清洗，去除单晶硅抛光片表面的自然氧化层，HF酸溶液的浓度为1～5wt％；(2)将清洗后的抛光片放入外延炉硅片存放腔室，用HCl气体高温清洁外延炉腔体以及硅片反应基座，除去反应腔体内部反应残余以及副产物，降温并准备装载12英寸单晶硅抛光片；(3)将12英寸单晶硅抛光片装载到硅片反应基座上，此时通入反应腔体内氢气的流量为30SLM；将反应腔体升温至1050～1150℃，提高氢气流量至100～160SLM，同时通入HCl气体腐蚀单晶硅表面，HCl/H₂浓度控制在0.5～1.5％，腐蚀时间为30s～180s；(4)停止通HCl气体，利用高纯氢气吹扫，赶走HCl以及副产物，同时降温至沉积温度1050～1100℃；(5)预流TCS气体、掺杂剂B₂H₆/PH₃至少1min，通入TCS气体生长一层外延薄层，然后将氢气流量降低20～60SLM，并通入TCS以及掺杂剂B₂H₆/PH₃，在12英寸单晶硅抛光片表面生长外延层；(6)外延层生长完成后，降温至900℃，取出外延片。