发明名称 烧结体和非晶膜
摘要 本发明的课题在于提供能够得到能够保持良好的可见光透射率和导电性的透明导电膜、尤其是低折射率的非晶膜的烧结体。这种薄膜的透射率高且机械特性优良,因此可用于显示器的透明导电膜、光盘的保护膜。本发明的目的在于由此提高光器件的特性、降低设备成本、大幅改善成膜的特性。
申请公布号 CN104583152A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201380041450.9 申请日期 2013.12.24
申请人 吉坤日矿日石金属株式会社 发明人 奈良淳史
分类号 C04B35/453(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C04B35/453(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 王海川;穆德骏
主权项 一种烧结体,其为包含锌(Zn)、第一金属元素(M1)、第二金属元素(M2)、锗(Ge)和/或硅(Si)、氧(O)的氧化物烧结体,其特征在于,M1为选自由铝(Al)、镓(Ga)、硼(B)、钇(Y)和铟(In)组成的组中的一种以上元素,其中,第二金属元素为钇的情况下,第一金属元素的组中不包括钇,另外,第二金属元素为铟的情况下,第一金属元素的组中不包括铟,M2为选自由钇(Y)、铟(In)、锰(Mn)、镧(La)、钪(Sc)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)、镥(Lu)、钷(Pm)组成的组中的一种以上元素,设M1的总含量以氧化物换算为A摩尔%、M2的总含量以氧化物换算为B摩尔%、Ge和/或Si的总含量以GeO<sub>2</sub>和/或SiO<sub>2</sub>换算为C摩尔%时,满足15≤A+B+C≤55的条件。
地址 日本东京