| 发明名称 | 沟槽的形成和填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽的形成和填充方法，步骤包括：1）在半导体衬底上生长第一半导体层和介质层；2）在第一半导体层和介质层内部刻蚀形成沟槽；3）对沟槽侧壁进行横向刻蚀，使沟槽顶部的介质层部分悬空；4）用选择性外延工艺在沟槽内填充掺杂类型与第一半导体层相反的第二半导体层。本发明通过在沟槽刻蚀后，再进行沟槽侧壁横向刻蚀，使沟槽顶部的介质层部分悬空，这样后续再用选择性外延工艺在沟槽内填充第二半导体层时，在填充的初始阶段，就会因沟槽顶部介质层的阻挡而使第二半导体层不会在介质层的顶部生长，如此就大大降低了沟槽顶部第二半导体层相互合拢的可能性，提高了沟槽填充质量，降低沟槽内部的晶格缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN104576311A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310517463.0 | 申请日期 | 2013.10.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘继全 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 沟槽的形成和填充方法，其特征在于，步骤包括：1）在半导体衬底上依次生长第一半导体层和介质层；2）在第一半导体层和介质层内部刻蚀形成沟槽；3）对沟槽侧壁进行横向刻蚀，使沟槽顶部的介质层部分悬空；4）用选择性外延工艺在沟槽内填充掺杂类型与第一半导体层相反的第二半导体层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||