电阻式存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法，该制造方法包括：提供一基底；形成一介电层于基底之上；形成一停止层于介电层上；形成一开口穿过停止层与介电层；形成一底电极于开口之中，其中底电极与停止层共平面；沉积一介电层于底电极与停止层之上；沉积一顶电极材料于介电层上；以及图案化顶电极材料与介电层，以定义出一顶电极以及其下的一电极间介电层，其中顶电极具有一第二表面与底电极的一第一表面相对，且第二表面的面积大于第一表面的面积。通过本发明可有效解决电阻式随机存取存储器的操作电流-电压特性的变异问题。

主权项

一种电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基底；形成一介电层于该基底之上；形成一停止层于该介电层上；形成一开口穿过该停止层与该介电层；形成一底电极于该开口之中，其中该底电极与该停止层共平面；沉积一介电层于该底电极与该停止层之上；沉积一顶电极材料于该介电层上；以及图案化该顶电极材料与该介电层，以定义出一顶电极以及其下的一电极间介电层其中该顶电极具有一第二表面与该底电极的一第一表面相对，且该第二表面的面积大于该第一表面的面积。