功率二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种功率二极管的制备方法，包括：提供衬底，生长N型层；形成终端保护环；形成氧化层，对所述终端保护环进行推结；形成栅氧化层，在所述栅氧化层上淀积形成多晶硅层；形成N型重掺杂区；形成P+区；对圆片进行离子轰击，刻蚀所述光刻胶，扩大所述光刻窗口；形成P型体区；进行热退火，激活注入的杂质；进行正面金属化及背面金属化处理。上述功率二极管的制备方法，通过离子轰击对注入形成P型体区时作为掩蔽层的光刻胶进行刻蚀从而扩大光刻窗口，可以通过调整离子轰击时间来控制多晶硅光刻胶的特征尺寸以调节P型体区的长度即MOS沟道的长度，优化器件的反向漏电流与正向压降的关系。

主权项

一种功率二极管的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底的正面生长N型层；在所述N型层的正面形成终端保护环；在所述N型层的正面表面形成氧化层，对所述终端保护环进行推结；用有源区光刻板光刻并刻蚀掉有源区区域的所述氧化层，去胶后，在所述有源区区域的所述N型层的正面形成栅氧化层，在所述栅氧化层上淀积形成多晶硅层；用多晶硅光刻板光刻，形成光刻窗口，通过所述光刻窗口刻蚀所述多晶硅层，并以光刻胶和所述多晶硅层为掩蔽层向被刻蚀开的区域自对准注入N型离子，在所述栅氧化层下方形成N型重掺杂区；以所述光刻胶作为掩蔽层，先后进行栅氧化层刻蚀和硅刻蚀，并通过离子注入向被刻蚀开的区域下方注入P型离子，形成P+区；对圆片进行离子轰击，刻蚀所述光刻胶，扩大所述光刻窗口；以所述光刻胶为掩蔽层注入P型离子，形成P型体区；进行热退火，激活注入的杂质；进行正面金属化及背面金属化处理。