具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET

摘要

本发明提供了一种具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET。提供了一种晶体管器件和用于形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法。形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。在源极区和漏极区的下面形成蚀刻停止层。蚀刻停止层包括介于半导体衬底与源极区和漏极区之间的支撑结构。悬空的纳米线沟道通过蚀刻该悬空的纳米线沟道下面的牺牲材料而形成。该蚀刻对于牺牲材料具有选择性以防止去除源极区和漏极区下面的蚀刻停止层。

主权项

一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：形成包括源极区和漏极区的器件层，所述源极区和所述漏极区通过悬空的纳米线沟道连接；在所述源极区和所述漏极区下面形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括介于半导体衬底与所述源极区和漏极区之间的支撑结构；以及形成悬空的纳米线沟道，所述悬空的纳米线沟道通过蚀刻所述悬空的纳米线沟道下面的牺牲层材料形成，所述蚀刻对于所述牺牲材料具有选择性以防止去除所述源极区和所述漏极区下面的所述蚀刻停止层。