| 发明名称 | 选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种选择性地去除氮化硅的方法。该方法包括：提供在该晶圆的表面上具有氮化硅的晶圆；提供磷酸和含硅材料的混合物；以及将混合物传送至晶圆的表面以去除氮化硅。还提供了选择性地去除氮化硅的单晶圆蚀刻装置。 | ||
| 申请公布号 | CN104576313A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410119996.8 | 申请日期 | 2014.03.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张简瑛雪;李佑茗;杨棋铭 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种选择性地去除氮化硅的方法，包括：提供在晶圆的表面上具有氮化硅的所述晶圆；提供磷酸和含硅材料的混合物；以及将所述混合物传送至所述晶圆的表面以去除所述氮化硅。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||