一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体存储技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过控制轻掺杂源漏离子注入的区域使得在半导体器件的每个存储单元中的传输门晶体管与一部分下拉晶体管具有不同的轻掺杂浓度，因而可以得到不同的器件比率。本发明的半导体器件，采用上述半导体器件的制造方法制备，每个存储单元中传输门晶体管和一部分下拉晶体管具有不同的轻掺杂浓度，因而具有不同的器件比率。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括多个存储单元的前端器件，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述传输门晶体管均包括栅极和栅极侧壁；步骤S102：对每个所述存储单元中的所述至少两个下拉晶体管和所述至少两个传输门晶体管进行第一轻掺杂源漏离子注入；步骤S103：对每个所述存储单元中的所述至少两个下拉晶体管中的一部分晶体管进行第二轻掺杂源漏离子注入。