金属栅极的形成方法

摘要

一种金属栅极的形成方法，包括：提供基底，在所述基底表面形成牺牲层；在所述牺牲层形成图案化的阻挡层；以所述阻挡层为掩膜，对所述牺牲层进行离子掺杂，所述离子掺杂的掺杂角度与所述阻挡层侧壁的夹角为锐角；刻蚀所述牺牲层形成替代栅极，所述替代栅极的侧壁为倾斜；在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅极表面齐平；去除所述替代栅极，形成具有倾斜侧壁的沟槽；采用填充物质对所述沟槽进行填充，形成金属栅极。本发明避免了填充物质后金属栅极产生空隙，提高金属栅极的质量，避免金属栅极的电阻值较目标电阻值偏高及偏高的电阻值导致功耗上升等问题，提高含有所述金属栅极的半导体器件的可靠性。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成图案化的阻挡层，所述阻挡层与待形成的金属栅电极相对应；以所述阻挡层为掩膜，对所述牺牲层进行离子掺杂，未掺杂离子的牺牲层为倒梯形形状，所述离子掺杂的掺杂角度与所述阻挡层侧壁的夹角为锐角，所述掺杂离子为带负电的掺杂离子；刻蚀所述牺牲层形成替代栅极，所述替代栅极的侧壁为倾斜侧壁；所述刻蚀牺牲层形成替代栅极包括：首先以所述阻挡层为掩膜，干法刻蚀所述牺牲层；接着采用各向同性的刻蚀工艺，去除具有所述掺杂离子的牺牲层，形成具有倾斜侧壁的替代栅极，所述去除具有所述掺杂离子的牺牲层的刻蚀气体中含有带正电的刻蚀离子；在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅极表面齐平；去除所述替代栅极，形成具有倾斜侧壁的沟槽；采用填充物质对所述沟槽进行填充，形成金属栅极。