半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括正面及与所述正面相对的背面；位于所述衬底背面的阻挡层，所述阻挡层至少包含有一层氮化硅层或一层氧化硅层。本发明还提供一种半导体结构的形成方法。通过所述衬底背面形成有阻挡层，在电场环境中，所述阻挡层使得所述衬底背面和电场环境保持绝缘性质，避免载流子损伤栅极氧化层的绝缘性质，提高栅极氧化层的质量。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括正面及与所述正面相对的背面；位于所述衬底正面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底正面的栅极氧化层、及位于栅极氧化层表面的栅极；位于所述衬底背面的阻挡层，所述阻挡层为电绝缘层且至少包含有一层氮化硅层或一层氧化硅层，当所述半导体结构处于电场环境中时，所述阻挡层使得所述衬底背面和电场环境保持绝缘性质，防止所述栅极内的载流子通过所述栅极氧化层，避免载流子损伤栅极氧化层的绝缘性质，提高栅极氧化层的质量。