用于后段制程金属化的混合型锰和氮化锰阻障物及其制法

摘要

本发明涉及用于后段制程金属化的混合型锰和氮化锰阻障物及其制法，公开一种制造集成电路的方法，包括：提供覆于半导体衬底上的导电材料和覆于该导电材料上的介电材料，其中开口使该导电材料的表面和该介电材料的侧壁暴露，且选择性地沉积第一阻障材料的第一层于该导电材料的表面上，该介电材料的侧壁仍维持暴露，若使得该第一阻障材料于退火制程期间被退火，则该第一阻障材料将扩散至该导电材料中。该方法进一步包括修饰该暴露表面上的该第一阻障材料以形成第二阻障材料，使得该第二阻障材料于退火制程期间将不扩散至该导电材料中，并沿着该开口的侧壁沉积该第一阻障材料的第二层。又更进一步，该方法包括退火该半导体衬底。

主权项

一种制造集成电路的方法，包含：提供覆于半导体衬底上的导电材料和覆于该导电材料上的介电材料，其中，开口使该导电材料的表面和该介电材料的侧壁暴露；选择性地沉积第一阻障材料的第一层于该导电材料的该表面上，该介电材料的该侧壁仍维持暴露，若使得该第一阻障材料于退火制程期间被退火，则该第一阻障材料将扩散至该导电材料中；修饰该表面上的该第一阻障材料以形成第二阻障材料，使得该第二阻障材料于退火制程期间不扩散至该导电材料中；沿着该开口的该侧壁沉积该第一阻障材料的第二层；以及退火该半导体衬底。