一种制备多晶硅薄膜的装置和方法

摘要

本发明提供一种制备多晶硅薄膜的装置和方法，在准分子激光退火晶化工艺中，激光束长度小于非晶硅薄膜宽度的情况下，通过在激光束两端分别设置包括由遮蔽区和透光区交替设置组成的第一掩膜和第二掩膜，第一掩膜中的遮蔽区和透光区与第二掩膜中的透光区和遮蔽区互补设置，相邻两次激光扫描过程中第一掩膜和第二掩膜重合，使得重合区域只进行单次激光扫描，从而实现消除重叠扫描区域的目的，提高多晶硅薄膜晶化质量的均匀性；工艺简单，易实现大规模应用。而且第一掩膜和第二掩膜中透光区较大的一端靠近所述激光束端部设置；这样设置在激光束两端的透光区面积较大，就可以减少因激光束两端的能量坡度造成晶化质量不均匀的现象。

主权项

一种制备多晶硅薄膜的装置，包括：准分子激光器，所述准分子激光器激发出的脉冲激光束连续扫描通过其照射区的非晶硅薄膜；其特征在于，所述激光束长度方向的两端分别设置第一掩膜和第二掩膜，所述激光束透过所述第一掩膜和所述第二掩膜照射到所述非晶硅薄膜上；所述第一掩膜和所述第二掩膜沿所述激光束长度方向均由若干交替设置的遮蔽区和透光区组成；所述第一掩膜中的所述遮蔽区和所述透光区与所述第二掩膜中的所述透光区和所述遮蔽区互补设置；所述第一掩膜和所述第二掩膜的长度方向平行于所述激光束长度方向设置，所述第一掩膜的长度小于等于所述激光束长度的一半，所述第一掩膜的宽度大于所述激光束的宽度。