半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，一种既提高了线槽的填埋特性又可抑制布线与连接件之间产生连接不良的制造方法。在与穿过接触孔CON且第2布线INC2延伸的方向呈直角的截面中，接触孔CON的中心比第2布线INC2的中心更靠近第2布线INC2的第1侧面SID1。而且，第2布线INC2的第1侧面SID1中，如果将第2布线INC2的延伸方向上与接触孔CON重叠的区域作为重叠区OLP时，则至少重叠区OLP的下部比第2布线INC2侧面的其他部分倾斜度更大。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：第1布线；形成于所述第1布线上的第1层间绝缘膜；形成于所述第1层间绝缘膜中且位于所述第1布线上的连接孔；填埋于所述连接孔内且由导电材料构成的连接件；位于所述连接件上及所述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜；形成于所述第2层间绝缘膜中且俯视时与所述连接件重叠的线槽；以及填埋于所述线槽内的第2布线；其中，在与穿过所述连接件且所述第2布线延伸的方向呈直角的截面中，比起所述第2布线的中心，所述连接件的中心更靠近所述第2布线的第1侧面；所述第2布线的所述第1侧面中的所述第2布线的延伸方向上，与所述连接件重叠的区域即重叠区的至少下部的倾斜度比所述第2布线的侧面的其他部分的倾斜度大。