发明名称 |
一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法,包括以下步骤:(1)使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨;(2)使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光;(3)将晶体表面浸入有机溶剂中,超声处理30-60秒;(4)使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10~15分钟;(5)将晶体置于有机溶剂中超声清洗30-60秒,用高倍显微镜观察晶体表面形貌;(6)若晶体表面仍有划痕,重复步骤(2)~(5),并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100-300nm的氧化铈抛光液。与现有技术相比,本发明操作简单,加工效率高,便于推广。 |
申请公布号 |
CN103231302B |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201310127749.8 |
申请日期 |
2013.04.12 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
朱杰;张志萌;王占山 |
分类号 |
B24B37/04(2012.01)I;B24B37/30(2012.01)I |
主分类号 |
B24B37/04(2012.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
叶敏华 |
主权项 |
一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)研磨:使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨;(2)粗抛:使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光;(3)刻蚀:将晶体表面浸入有机溶剂中,超声处理30‑60秒;(4)化学机械抛光:使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10~15分钟;(5)检测:将晶体置于有机溶剂中超声清洗30‑60秒,用高倍显微镜观察晶体表面形貌;(6)若晶体表面无划痕,则获得具有超光滑表面低亚表面损伤的晶体;若晶体表面仍有划痕,重复步骤(2)~(5),并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100‑300nm的氧化铈抛光液。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |