一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT

摘要

本实用新型涉及一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT，本实用新型在常规方法基础上对P阱注入进行改进，在P阱总注入剂量和总推阱时间不变的情况下采用P阱多次注入，多次推结方式，使得N+区下方P阱浓度更高，更有效的降低空穴电流流经路径的电阻，有效抑制IGBT器件大电流状态下的闩锁现象，电阻的降低同时可以降低通态压降。本实用新型在JFET区上方添加一层厚度1.0-1.5μm的场氧化层，减小IGBT器件的反向传输电容，降低器件关断时反向传输电容的放电时间，减小关断损耗；通过减小IGBT器件的反向传输电容同样可以达到避免短路测试时发生LC震荡的目的。

主权项

一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT，所述平面栅IGBT包括衬底、衬底表面上的场氧化层和栅氧化层、沉积在栅氧化层上的多晶硅栅极以及栅氧化层与衬底之间的P阱区，位于P阱区表面的N阱区，依次设置于P阱区内P+型掺杂区和N+型掺杂区，结型场效应JFET区位于两个P阱之间；其特征在于，在所述结型场效应JFET区上生长有场氧化层。