一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列的制备方法，其步骤如下：(1)将经过清洗干净的基底材料浸入到热碱溶液中，热碱溶液处理一定时间后，取出基体材料并用去离子水清洗，烘干；(2)将烘干的基底材料浸入到钙盐溶液中，反应一定时间后取出，不经清洗直接烘干；(3)将再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸盐溶液中，在一定pH下，一定温度下保温一定时间，将基底材料取出用去离子水清洗，烘干，得到高度取向的纳米羟基磷灰石晶体阵列。本发明通过改变化学条件实现了纳米羟基磷灰石晶体阵列的形成及其结构控制，工艺稳定，成本低廉，能实现大规模生产。本发明在材料表面改性、生物信息检测及疾病诊断等领域具有广泛的应用价值。

主权项

一种高度取向纳米羟基磷灰石晶体阵列制备方法，其步骤如下：(1)将经过清洗干净的基底材料浸入到热碱溶液中，热碱溶液处理6～24h后，取出基底材料并用去离子水清洗，烘干；所用的基底材料为普通玻璃、石英玻璃、钢化玻璃、光学玻璃、导电玻璃其中的一种；热碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液，浓度为1.0～15.0mol/L，温度为45～100℃；(2)将烘干的基底材料浸入到钙盐溶液中，反应温度为30～90℃，反应时间为1～12h，取出，不经清洗直接烘干；所用的钙盐溶液为钙盐化合物的水溶液，所用的钙盐化合物为氢氧化钙、氯化钙、硝酸钙、氟化钙及乙酸钙中的一种，浓度为0.2～6.0mol/L；(3)将再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸盐溶液中，在一定pH下，一定温度下保温一定时间，将基底材料取出用去离子水清洗，烘干，得到高度取向的纳米羟基磷灰石晶体阵列；所用的磷酸盐溶液为碱金属或氨的磷酸盐类化合物的水溶液，浓度范围为0.005～0.1mol/L；pH值利用氢氧化钠、氢氧化钾、氨水及尿素中的一种调节，pH值范围为8～12；反应温度范围30～95℃，保温时间1～24h。