硅化镍层形成方法及半导体器件形成方法

摘要

一种硅化镍层形成方法及半导体器件形成方法，其中，所述硅化镍层形成方法包括：提供衬底，在所述衬底表面形成硅化二镍层；在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层；对所述硅化二镍层进行第二退火处理，形成硅化镍层。在进行第二退火处理形成硅化镍层之前，在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层，在进行第二退火处理时，所述氮化硅层中的氢离子会扩散到硅化二镍层中，使得最终形成的硅化镍层内含有氢离子，可有效的降低硅化镍层的电阻，降低电路的RC延迟。

主权项

一种硅化镍层形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成硅化二镍层；形成所述硅化二镍层的方法包括：在所述衬底表面形成含镍金属层，在所述含镍金属层表面形成隔离层；对所述含镍金属层进行第一退火处理，除去所述隔离层和未反应的含镍金属层，在所述衬底表面形成硅化二镍层；在所述硅化二镍层表面形成含有氢离子的氮化硅层；对覆盖有所述氮化硅层的所述硅化二镍层进行第二退火处理，形成硅化镍层。