发明名称 |
一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥 |
摘要 |
本发明提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥,由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成;矩形半导体硅构成基底层;与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层,绝缘层覆盖在基底层上;反射层由浓硼(或磷)扩散掺杂的单晶硅制成,尺寸同基底层,沉积在绝缘层之上;半导体桥层由浓硼(或磷)注入掺杂的多晶硅组成,形状两端宽中间窄;半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层;然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本发明具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。 |
申请公布号 |
CN104557353A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201410775599.6 |
申请日期 |
2014.12.17 |
申请人 |
中北大学 |
发明人 |
陈晓勇;丑修建;熊继军;穆继亮;安坤;杨杰;李惠琴;许卓;孙玉虹;曹嘉峰 |
分类号 |
C06C5/00(2006.01)I |
主分类号 |
C06C5/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥,包括基底层[1]、绝缘层[2]、半导体桥层[4]、分立的焊锡层[5]、分立的电极层[6],其特征在于:还包括吸热聚能反射层[3],所述基底层[1]、绝缘层[2]、吸热聚能反射层[3]、半导体桥层[4]、分立的焊锡层[5]、分立的电极层[6]自下而上顺序叠加;所述基底层[1]、绝缘层[2]、吸热聚能反射层[3]形状均为矩形、尺寸相同,所述半导体桥层[4]中间窄两端宽,在半导体桥层[4]两端宽的部分通过所述分立的焊锡层[5]均匀沾附所述分立的电极层[6];所述分立的焊锡层[5]形状随机,厚度要使分立的电极层[6]与半导体桥层[4]平整的键合,且不遮盖半导体桥层[4]中间窄的部分。 |
地址 |
030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号 |