| 发明名称 | 一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法 | ||
| 摘要 | 一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光(图案化)的Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2(1-x)</sub>Bi<sub>2x</sub>Te<sub>5</sub>(GSBT)光刻胶先在氧化性溶液中显影，再在酸性溶液中显影，反复进行，曝光区域被去除，而未曝光区域被保留，最终在光刻胶上获得所需图案结构；其中0<x<1。本发明的显影方法是一种适用于GBST的高显影选择比正胶型显影方法，其显影选择比是现有工艺的四倍多，工艺简单可控、产品的尺寸形貌均一、生产周期短、成本低廉、适于大规模工业化生产。使GSBT在半导体制造工业、大规模集成电路的制造等的微纳加工领域得到更加广泛的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104570627A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201510024823.2 | 申请日期 | 2015.01.19 |
| 申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 李建政;刘前;朱星;张浩然 |
| 分类号 | G03F7/30(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;侯桂丽 |
| 主权项 | 一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光的Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2(1‑x)</sub>Bi<sub>2x</sub>Te<sub>5</sub>光刻胶薄膜先在氧化性溶液中显影，再在酸性溶液中显影，反复进行，曝光区域被去除，而未曝光区域被保留，最终在光刻胶上获得所需图案结构；其中0<x<1。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 | ||