发明名称 |
制造激光二极管基座的激光烧蚀工艺和激光二极管单元 |
摘要 |
一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤,底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器,脉冲激光器操作为产生多个脉冲,所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列,从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后,将底座分割为多个基座,每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。 |
申请公布号 |
CN104584343A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201380028022.2 |
申请日期 |
2013.05.29 |
申请人 |
IPG光子公司 |
发明人 |
亚历山大·奥夫契尼可夫;伊格尔·贝尔谢夫;阿列克谢·科米萨诺夫;斯韦勒坦·图德洛夫;帕维尔·特鲁边科 |
分类号 |
H01S5/02(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
倪斌 |
主权项 |
一种制造激光二极管单元的方法,每一个激光二极管单元包括基座和焊接至基座的激光二极管,所述方法包括:提供底座,底座包括陶瓷载体和载体上的金属层;产生多个激光脉冲,所述多个激光脉冲在金属层表面上以预定的图案排列,从而将金属层烧蚀至所需深度;以及将陶瓷载体切割成多个基座。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |