发明名称 制造激光二极管基座的激光烧蚀工艺和激光二极管单元
摘要 一种制造激光二极管基座的方法包括提供底座的步骤,底座配置有陶瓷载体和在衬底上沉积的金属层。该方法还包括使用脉冲激光器,脉冲激光器操作为产生多个脉冲,所述多个脉冲在金属层表面上以预定的图案选择性排列,从而将金属层的所需区域烧蚀至所需深度。随后,将底座分割为多个基座,每一个基座均支撑激光二极管。金属层包括在陶瓷上沉积的并且厚度足以有效地促进散热的银子层。
申请公布号 CN104584343A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201380028022.2 申请日期 2013.05.29
申请人 IPG光子公司 发明人 亚历山大·奥夫契尼可夫;伊格尔·贝尔谢夫;阿列克谢·科米萨诺夫;斯韦勒坦·图德洛夫;帕维尔·特鲁边科
分类号 H01S5/02(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 主分类号 H01S5/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 倪斌
主权项 一种制造激光二极管单元的方法,每一个激光二极管单元包括基座和焊接至基座的激光二极管,所述方法包括:提供底座,底座包括陶瓷载体和载体上的金属层;产生多个激光脉冲,所述多个激光脉冲在金属层表面上以预定的图案排列,从而将金属层烧蚀至所需深度;以及将陶瓷载体切割成多个基座。
地址 美国马萨诸塞州