LDMOS及其制造方法

摘要

本发明提供了一种LDMOS及其制造方法，所述LDMOS为LDNMOS，该方法包括以下步骤：在基底上依次形成STI、P型阱、N-漂移区、栅极结构以及源极和漏极之后，该方法还包括：在形成栅极结构之后，在基底表面形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层的开口显露出栅极结构、源极和漏极；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，对所述对称设置的两个N-漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区位于N-漂移区中，与STI具有预定间隔。本发明还提供了一种LDMOS及其制造方法，所述LDMOS为LDPMOS。采用本发明能够提高击穿电压。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，所述LDMOS为LDNMOS，该方法包括以下步骤： A、在基底上形成LDNMOS区内用于隔离P型阱和N‑漂移区的STI； B、在LDNMOS区进行离子注入形成P型阱； C、在所述P型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的N‑漂移区； D、在N‑漂移区之间的基底表面形成栅极结构； E、在N‑漂移区中进行N+掺杂形成源极和漏极； 其特征在于，该方法还包括：在步骤D形成栅极结构之后，在基底表面形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层的开口显露出栅极结构、源极和漏极；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，对所述对称设置的两个N‑漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区位于N‑漂移区中，与STI具有预定间隔。